時間：2016-06-24 14:38:45 閱讀：7843 來源：
2016年6月24日，科技部高技術(shù)中心對外發(fā)布了，國家重點研發(fā)計劃“納米科技”重點專項的2016年度項目布局。太赫茲研究院參與申報的CMOS兼容的太赫茲源，探測和陣列成像項目，獲得科技部審批通過。課題名稱“THz成像儀關(guān)鍵工藝技術(shù)及測試技術(shù)”，課題編號2016YFA0202204。
項目的參與單位有中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、天津大學(xué)、華訊方舟科技有限公司太赫茲研究院。項目團(tuán)隊集中了國內(nèi)太赫茲領(lǐng)域的優(yōu)勢團(tuán)隊（院士3人、杰青4人、長江1人、國家千人1人、IEEE Fellow 2人、百人計劃4人、青年千人2人），依托“半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室（吳南健團(tuán)隊）”、“集成光電子學(xué)國家重點實驗室（陳弘達(dá)團(tuán)隊）”、“紅外物理國家重點實驗室（戴寧團(tuán)隊）”、“成像與感知微電子系統(tǒng)天津市重點實驗室（馬建國任主任）”和“深圳市太赫茲科技創(chuàng)新研究院（劉盛綱院士任院長）”開展項目研究。項目自2017年01月—2021年12月，共 60月，項目采用CMOS/BiCMOS 工藝來實現(xiàn)太赫茲源、探測和陣列成像，圍繞室溫CMOS 兼容工藝的太赫茲成像儀這樣一個重要應(yīng)用目標(biāo)，開展從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究全產(chǎn)業(yè)鏈條研發(fā)，通過一系列的創(chuàng)新使我國在室溫CMOS太赫茲成像儀領(lǐng)域進(jìn)入國際一流行列。
